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主题:高泄露测试条件下失真改善
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2006-11-23 8:05:04
高泄露测试条件下失真改善
Post By:2008-6-23 17:09:46 [
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]
各位请参考附件
测试条件为179mV TYPE3.2高泄露仿真耳
产品为12*06受话器
在产品的F0处 约500Hz 出现一个比较大的失真峰 经过测试 此处的三次谐波有问题 800HZ处的二次谐波有问题 各位有没有遇到过类似的问题的
造成这样情况 大多是何种之原因
调试过振膜多次了 没有任何改进 峰的高度也很稳定 但是如何更改磁路呢 目前正苦于没有方案
特此求助
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点击浏览该文件:thd1.pdf
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