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主题:抗干扰mic

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Amare
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  发帖心情 Post By:2009-9-4 20:27:43 [显示全部帖子]

以下是引用wdele在2009-07-24 10:54:33的发言:
1、加电容是有效的。
2、仅仅加电容还不是最佳,还要大面积接地、内置磁珠等综合措施,效果会更好。
3、一般来说,干扰源与传声器的距离越近,干扰越强。就手机而言,采取以上措施以后,可以有效抵御射频干扰,近距离也没问题。
            仅供参考,谢谢!


手机射频干扰通常为900M和1.8G两种高频信号
上述两个电容是对手机射频的针对性屏蔽

版主所说措施都有效果
唯一在MIC中内置磁珠不是很认同

仅供参考 谢谢



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  发帖心情 Post By:2009-9-7 18:52:13 [显示全部帖子]

以下是引用tigerking100在2009-09-05 20:43:11的发言:

全部赞同
但我之所以不认同MIC中内置磁珠的原因有三:
1.元件体积  以4MM外径的MIC为例  PCB的直径大概是3.75
                在这个范围内放置一FET,两电容,还要保证地大面积包正极,确实没有地方再放磁珠
2.磁珠造价 假设MIC的单价为1RMB 磁珠和电容比 厂家肯定是前者
3.磁珠本身性能  正如您所说磁珠抗高频的性能很好  那这个高频频率是多少?
                      普通的两电容元器件已经足够
手机设计 这点是我最不肯定的 如有误请见谅
               手机主板上通常都设定有磁珠 作用会不会重复?
 
另一问
磁珠设计时是靠近信号源一端好 还是靠近输出端好
(NOKIA 靠近信号源,  SONY靠近输出)



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  发帖心情 Post By:2009-9-8 18:34:10 [显示全部帖子]

以下是引用tigerking100在2009-09-07 20:45:06的发言:

曾做过实验
在MIC输出端未进FET处加载一磁珠  测试效果并不理想(跟普通结构ECM并无区别)
是加磁珠位置错误还是效果没有反映在曲线上?



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