我觉得这个帖比较有意思.因为楼主给的条件不多,所以我们的想法有很大差异.
我个人的想法是这样的:
1,作如下假设:
1.1 Qts比较高,>0.71;
1.2 单元设计比较普通,使用了常规的磁间隙,没有特别去设计;换言之,因为是8欧,所以音圈外间隙偏大;
1.3 Cms线性比较差;
1.4 磁路不变是指外形.
2,需要解决的是降低低频的最大振动幅度.没有特别原因,其它频率的振幅没有必要特别去考虑.
3,思路
Xpeak = Bli * Cms * (Qts2/sqrt(Qts2-0.25))
近似于Bli*Cms*Qts,近似于Bli*Cms*Qes=SQRT(Mms*Cms*Pe)*SQRT(Revc)/Bl
理想的情形下,在给定功率,Fs,电阻和磁路的时候,这是一个恒定量.所以要用在上述假设下的不寻常思路.Pe是30W,不能变.而减小Mms可以增加Cms,较大的Cms线性相对更差.这就是我提出的意见2的原因.
减小磁间隙当然可以提高Bl.
降低Revc的原因不再详细描述,已经说得够多了.
不过上述思路中的一个问题是Qms被忽略不计,而在高Qts的情形下往往是不能忽略的,所以题目变得比较复杂.