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考虑过。
不过,我是终端的,就是最后面的一环,手上没有什么材料,只能眼巴巴的看着频响曲线。
加阻尼的话,是不是刷阻尼胶?
剧说,刷阻尼胶只能改善3DB。
今天测试了一天,把一个大号的直径140的防尘帽反着装,就像是双振膜的样子。
谷有改善,但是上限低了很多。
后来直接正装140mm的防尘帽,结果是谷更深了。所以我判断,这个谷,和防尘帽有关系。
也就是说,防尘帽越大,谷就越深。
具体原因,可能是因为防尘的凸面造成的声波能量向四周扩散。
有可能改善防尘帽,能起到比较好的效果。
楼主:
我也模拟你的情况做了一点测试,发现和测试距离和测试高度基本“不相关”,那个谷还是很明显。
关于这个中频谷,常见的说法是“由于折环发生较严重的共振,从而发出较大的声波。当这个声波和单元的振膜发出的声波在单元前方某处相遇的时候,由于相位问题而发生了干涉,形成了一个较深的谷”。
所以,当测试的距离不同的时候,路程差不一样,形成相位相反的频率也不一样,所以中频谷的频率也会有一点差别。因为折环的共振频率是一个范围,不是一个点,所以中频谷在不同的测试距离是应该有一点点差别的。
看来是单元本身的问题。
不知道现在有什么进展了?
此外,有的人说中频谷是由于振膜发生分割振动而产生的。如果是这样的话,测试距离不同一个不会有这样的差别的吧?